PFC：功率因数校正(PFC)电路通常采用三种运行模式:连续导通模式(CCM)、不连续导通模式(DCM)和临界导通模式(CRM)。PFC电路对所使用的MOS器件提出了严格要求，在确保系统效率和热性能的同时，还需要尽可能提高系统的稳定性。PFC电路的控制回路响应相对缓慢。为了有效抑制50-60Hz交流电源经整流后产生的100-120Hz纹波，PFC电路的响应时间通常需要达到几十毫秒量级。如果没有对控制电路和芯片进行特殊优化，PFC电路在启动过程中容易产生剧烈的浪涌电流，峰值可能达到稳态工作电流的5-10倍。在为PFC电路选择MOS时，需要重点考虑以下几个方面:

         . 开关特性，尤其是输入电容(Ciss)

         . 雪崩能量承受(EAS)能力

         . 浪涌电流耐受能力

         . 静电放电(ESD)防护性能

     LLC：LLC谐振和相移全桥(PSFB)拓扑结构在大功率谐振型变换器中得到广泛应用。这些拓扑通过采用零电压开关(ZVS)技术在原边，以及零电流开关(ZCS)技术在副边，极大地提升了变换器的能量转换效率。这种设计不仅显著降低了开关损耗，还实现了更高的功率密度，使其成为服务器电源、电动车充电桩等高性能应用的理想选择。为了满足这类拓扑结构的特殊需求，T系列VAST MOS功率器件应运而生。这种创新的MOS管在设计上有别于传统的SJ MOS管，其最显著的特点是具有极低的Qg(栅极电荷)。这一特性不仅优化了高频性能，还通过更快的反向恢复速度，有效抑制了硬开关条件下的直通电流现象，从而全面提升了系统的可靠性和效率。

     Flyback：反激式开关电源常见的工作模式包括连续导通模式(CCM)和不连续导通模式(DCM)。这类拓扑结构主要适用于LED照明、电池充电器等中小功率应用场景。在这些应用中，MOS管的选型往往受到设计者的偏好和变压器参数的显著影响。我们的V/A系列VAST MOS产品线覆盖了500V至1200V的全电压范围，可以为反激类拓扑提供600V-900V内所有电压等级的MOS管选择。对于800V-1000V高压应用的反激辅助电源，A系列还能提供具有高击穿电压(BV)的器件。

     Forward：正激式开关电源在硬开关应用中主要分为单管正激和双管正激两种类型。对于单管正激拓扑，由于变压器需要额外的磁复位绕组，主开关MOS管在关断时会承受高达两倍输入电压的应力。因此，我们推荐使用V系列VAST MOS中高击穿电压(BV)900V及以上的MOS管，以有效应对电压变化带来的冲击。双管正激是一种非常稳定的拓扑结构，工作频率不高，也不会出现过大的冲击电流。这种拓扑对MOS管的要求相对宽松，通常与PFC搭配使用在200W~800W的适配器、工业电源、电脑电源或者环境相对恶劣又对稳定性要求高的场合。我们推荐使用A系列VAST MOSFET作为首选。