无锡旷通半导体有限公司成立于2023年3月，是一家专注于高压大电流功率半导体器件研发、设计和销售的Fabless半导体技术公司。我们致力于通过技术创新和卓越的产品质量，满足不断发展的市场需求。公司以超结MOSFET、IGBT及第三代半导体器件（如SiC和GaN）为主要研究方向。我们的核心技术已广泛应用于产品开发中，推出了一系列高性能功率器件。这些产品均达到了国际先进水平，广泛应用于新能源汽车、工业控制等领域。

        我们的使命是通过提供高可靠性、高效率的解决方案，助力全球客户应对各种应用场景中的挑战。我们坚持技术引领、自主创新，公司推出的多款核心芯片已经实现量产，性能卓越，质量可靠，为客户创造了显著的价值。无锡旷通半导体秉持“深耕高压大电流功率器件领域，拓展国内外市场”的使命。我们不断扩展核心技术并强化设计能力，特别是在第三代半导体器件（如GaN HEMT和SiC MOSFET）方面取得了显著进展。我们高度重视客户需求，通过加快产品和工艺的迭代开发，提升供应链保障能力，以卓越的产品和优质的服务赢得客户的信赖。

我们致力于成为高性能功率半导体器件领域的领导者

以卓越的技术和创新的产品，为智能化和绿色能源的发展提供强有力的支持