沟槽（Trench）MOSFET介绍

沟槽（Trench）MOSFET 是一种新型垂直结构的 MOSFET 器件，是从传统平面 MOSFET 结构基础上优化发展而来，Trench MOSFET 由于将沟槽深入硅体内，在设计上可以并联更多的元胞，从而降低导通电阻（Ron），实现更大电流的导通和更宽的开关速度。

沟槽MOSFET的工作原理是基于场效应，当电源电压施加到沟槽MOSFET的源极和漏极之间时，在沟道中形成一个负载载流子（电子或空穴）的通道，这个通道的电阻可以由控制栅的电压来决定！这类器件在电子设备中扮演着重要的角色，拥有许多有点，使其成为许多应用领域的理想选择。

旷通沟槽（Trench）MOSFET优势

Trench工艺MOSFET具有深而窄的沟槽结构，这可以增大器件的有效通道截面积，从而降低导通电阻，能够实现更高的电流传输和功率处理能力。

Trench工艺MOSFET通过控制沟槽的形状和尺寸，由于Trench工艺的深沟槽结构，漏源区域的表面积得到显著增加。这使得MOSFET器件在承受高电压时具有更好的耐受能力，适用于高压应用，如电源开关、电机驱动和电源系统等。

Trench工艺MOSFET通过沟槽内的绝缘材料和衬底之间形成较大的PN结，能够有效阻止反向漏电流的流动。因此，Trench工艺MOSFET在反向偏置下具有更好的抗漏电性能。

产品应用及发展

旷通Trench MOSFET具有优秀的性能，产品稳定，质量可靠，所以它能被用于很多场景。具体的应用场景非常丰富，包括电源、变频器、电机驱动、电池保护、适配器、电子烟、储能装置等。

目前旷通的Trench MOSFET在质量、价格和性价比方面表现出色，深受客户好评。我们将继续致力于半导体器件技术的创新和发展，为客户提供更加优质的解决方案。