来源：微信公众号 更新时间2024-10-31 13:55:20
SiC（碳化硅）
碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物。SiC六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高热传导系数的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能最好、商品化程度最高、技术最成熟的宽禁带暨第三代半导体材料。
SiC SBD （碳化硅肖特基二极管）
SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。 VAST SEMI
SiC-SBD的特性
01 耐压能力 SiC SBD具有高耐压特性，能够承受较高的反向电压。与SiC MOSFET相比，其耐压范围可能略小，但仍然远超过传统的硅基二极管。 02 导通电阻 在导通状态下，SiC SBD的导通电阻相对较低，这得益于SiC材料的高载流子迁移率和低电阻率。尽管其导通压降也相对较低，但相比于SiC MOSFET来说，导通电阻可能稍高。 03 开关速度 SiC SBD具有快速的开关速度，反向恢复时间极短，几乎为零反向恢复电流。这使得SiC SBD在高频和高效率应用中具有显著优势。 04 温度稳定性 SiC SBD具有良好的温度稳定性，其正向特性和反向特性受温度影响较小。这使得SiC SBD在高温应用中具有更好的可靠性和稳定性。
旷通SiC SBD产品
SiC SBD因其优异的性能特点在多个领域得到了应用，特别是在高频和高效率的应用场景中，如射频电路、高速开关电源和无线通信等领域。此外，由于其良好的温度稳定性和高耐压特性，也被用于高温和高压环境中，如航空航天、军事电子、DC/DC转换器、车载充电机、充电桩及光伏、风电、轨道交通、通讯电源和工业电源等多个应用领域。 旷通产品采用新型肖特基金属，搭载了第3代SiC SBD芯片，实现了业界领先的低正向电压，第3代产品改进了正向电压和总电容电荷，以及正向电压和反向电流之间的平衡，降低了功耗的同时有助于提高设备效率。 点击图片，查看详细参数 VAST SEMI
