乘联会最新数据揭示，2024年7月全国乘用车市场零售总量达到172.0万辆，其中，新能源车市场以87.8万辆的零售成绩脱颖而出，同比增长率高达36.9%，而传统燃油车零售则滑落至84万辆，同比下降26%，标志着新能源乘用车月度零售量首次超越燃油车，预示着汽车市场正步入深刻的结构性转型期。

尤为引人注目的是，7月新能源乘用车在国内市场的零售渗透率激增至51.1%，与去年同期相比飙升了15个百分点，这一里程碑式的跨越意味着新能源汽车已从市场边缘稳步迈向主流舞台中心，成为消费者购车的新宠。

与此同时，中国海关总署发布的数据显示，中国汽车出口在7月按下“快进键”，出口金额环比增长14.32%，展现出强劲的国际竞争力。其中，新能源汽车作为出口增长的新引擎，表现尤为亮眼。据中汽协统计，7月新能源汽车出口量达到10.3万辆，环比增长20.6%；今年前7个月累计出口70.8万辆，同比增长11.4%，彰显了中国新能源汽车在全球市场的强劲势头。

新能源汽车的普及浪潮，不仅重塑了汽车行业的格局，也极大地促进了半导体技术在汽车领域的广泛应用。电动机控制系统、电池管理系统等新能源汽车特有技术领域的兴起，极大地推动了功率半导体、高精度传感器、以及主控/计算类芯片等半导体产品的需求激增。特别是高压大电流器件，作为新能源汽车动力系统的核心部件，如同心脏般为车辆提供源源不断的动力支持，确保每一辆电动座驾都能安全、高效地驰骋在道路上，引领着汽车行业的绿色未来。

SJMOS作为OBC（车载充电机）的核心动力核心，凭借其独树一帜的技术创新和显著的应用成效，在电动汽车领域占据了越来越重要的地位。SJMOS不仅以其卓越的传导效率和强大的高电流驱动能力，大幅提升了OBC的充电效率，有效缩短了充电时间，还通过其独特的非钳位感性开关技术，显著降低了开关过程中的电磁干扰与噪声，确保了充电系统的清洁运行与高度稳定。更为值得一提的是，SJMOS展现出了超凡的高温稳定性，即便在汽车内部严酷的高温环境下，也能保持稳定的性能输出，极大地增强了OBC在复杂工况下的可靠性和耐久性，进一步巩固了其在现代汽车充电解决方案中的核心竞争力。

IGBT作为电动车充电系统的另一关键组件，其技术的持续进步也为充电效率与速度的提升贡献了决定性力量。随着IGBT技术的不断革新，其转换效率实现了显著提升，这一重大突破有效减少了充电过程中的电能损耗，为用户带来了更加高效、快捷的充电体验。简而言之，IGBT技术的飞跃，让更高的转换效率直接转化为更短的充电时间，为用户的生活带来了前所未有的便捷与高效，进一步推动了新能源汽车的普及与发展。

旷通半导体创新推出了VAST MOSFET系列，该系列凭借独有的专利器件架构与精湛制造工艺，实现了开关速度的飞跃性提升与开关曲线的极致优化。

VAST MOSFET不仅拥有超低的动态损耗，还能有效抑制开关过程中的震荡现象，从而在显著提升系统效率、大幅降低发热量的同时，简化了系统的电磁干扰（EMI）设计流程。

该系列产品全面覆盖500V至1200V电压范围，灵活适配各类电源系统需求，尤其在高需求场景如快速充电器、LED照明电源、通讯设备、服务器供电系统以及电动车充电站等中展现出卓越的性能优势，助力实现绿色高效的能源转换。

此外，旷通半导体在IGBT技术上也取得了显著突破，采用先进的沟槽场截止技术，打造出第五代与第六代IGBT系列，这些产品均实现了更低的导通压降与更小的开关损耗，进一步优化了能效表现。

产品电压范围横跨600V至1700V，广泛适用于家电设备、光伏储能逆变器、直流快充站、汽车主驱动系统以及不间断电源（UPS）等多个领域，为各行业用户提供高效、可靠的电力控制解决方案，推动能源应用的智能化与绿色化进程。

未来，旷通半导体将深耕技术研发，以领先的科技赋能新能源汽车产业的高效发展，共建绿色、低碳、可持续的能源新时代。