根据市场调研机构TechInsights的预测2024年第一季度，中国半导体设备采购额达到了创纪录的125.2亿美元，与去年同期相比增长高达113%，中国半导体产业将迎来前所未有的产能扩张期，预计未来五年内有望增长40%，达到8.75亿平方英寸。

TechInsights的数据显示，中国硅片总产能从2018年的3.1亿平方英寸，预计到2024年将翻倍至6.31亿平方英寸，并进一步增长至2029年的8.75亿平方英寸。产值方面，也从2018年的110亿美元增长至2023年的近300亿美元。

中国半导体产业的发展不仅对国内市场产生深远影响，也对全球市场格局产生重要影响。中国正在积极打造自己的半导体供应链，进一步推动国内半导体产业的发展，并在全球半导体市场中占据更重要的地位。

近几年在国家政策的指导下，以应用牵引实现发展，加大产线的持续支持力度，系统地丰富产品形态，使第三代半导体产业高质量发展，把握未来应用新机遇。

第三代半导体作为新兴的关键技术领域，正逐渐成为新质生产力的重要代表之一，在推动产业创新和技术升级发挥着重要作用。

碳化硅作为典型的第三代半导体材料，在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势。“现代电力电子领域对高功率、高电压、高频率器件具有巨大需求，是碳化硅功率产品的主要应用领域。”专家表示，以近年来快速增长的电动汽车市场为例，采用碳化硅材料研发的电动汽车主逆变器，可将系统工作频率提高5-10倍、体积减小50%以上、电池使用效率提升3%以上，相比于传统硅基器件优势明显。

第三代半导体被称为绿色半导体，SiC电力电子器件具有高击穿电压、高效率、高频率等特性，其器件节能性是硅器件的4倍，是支撑“双碳”战略的核心器件。由其制成的芯片在新能源汽车、光伏逆变、轨道交通、智能电网等场景具有广阔的应用前景。

研发新的SiC电力电子器件产品，以满足电压、电流、导通电阻变化的需求，在新能源汽车领域的应用向更高电压、更大电流、更小导通电阻演进。采用SiC功率器件因其对电能较高的转化效率可以提升电池的能量利用率。

旷通半导体正在对三代半导体进行设计研发，产品将重点围绕低损耗、高稳定性、高功率密度等特点，提升电源系统的效率，进而开启高质量发展新时代！