2024年我们见证了碳化硅(SiC)功率器件在电动汽车中的广泛应用，芯粒(Chiplet)技术在高性能AI芯片设计中的创新应用，以及RISC-V架构在汽车电子和其他领域的快速崛起。此外，第四代半导体材料——如氧化镓(Ga2O3)和氮化铝(AlN)也开始崭露头角，展现出巨大的潜力。

尽管全球经济面临诸多挑战，但半导体行业依然保持了强劲的增长势头。根据世界半导体贸易统计组织数据预测，2024年全球半导体市场规模预计将达到6112亿美元，同比增长7%。特别是在汽车电子、工业自动化和消费电子等领域，市场需求持续旺盛，推动了整个行业的快速发展。2025年，预计全球半导体市场将增长12.5%，估值将达到6870亿美元。

随着汽车制造商对更高能效以及续航能力的不懈追求，旷通敏锐视角洞察行业趋势，整车厂在接下来的两三年里会发布更多搭载 800V 平台的车型，这无疑使得对 SiC 功率器件的需求进一步增加，甚至 “800V+SiC” 已然基本成为高端电动汽车的标配配置了。

从材料方面来看，基于成本控制以及良率提升的需求，晶圆材料正朝着大尺寸、低缺陷 SiC 衬底及外延制备的方向迈进；从器件角度而言，行业都在追求更低的 SiC MOSFET 比导通电阻，同时力求让其在可靠性、鲁棒性方面更接近硅基 IGBT 的水准；从工艺层面来讲，科研人员也在持续研究制约 SiC MOSFET 发展的基础科学问题，比如通过采用高纯度 SiC 衬底、改进栅氧化层制作工艺等手段来提升沟道迁移率等，全方位助力 SiC 技术在汽车半导体领域发挥更大优势。

SiC功率器件凭借高电子迁移率、低导通电阻、高热稳定性等优势，在电动汽车等领域展现出巨大潜力。行业致力于降低比导通电阻，提升性能。持续的工艺研究与优化，如高纯度衬底使用和栅氧化层改进，至关重要。碳化硅衬底行业技术密集，涉及多学科，每一工艺环节的优化都关乎整体性能提升，未来在汽车半导体等领域将占据更重要地位。

由于碳化硅技术不断取得进展，其在汽车领域的应用也越来越广泛，特别是随着汽车制造商对能效和续航的不懈追求，“800V+SiC” 已然基本成为高端电动汽车的标配配置。众多车企纷纷布局搭载 800V 平台的车型，这使得对 SiC 功率器件的需求进一步增加。例如，小鹏 G9 作为一款中大型 SUV，采用了 800V 高压 SiC 平台，既实现了高电压和高电流双管齐下，让充电时间大幅缩短，又借助碳化硅耐高压的特性，控制更高的系统电压，有效解决了消费者充电和续航焦虑。可以预见，在未来电动汽车的发展中，“800V+SiC” 这种搭配将会越发普及，持续推动高端电动汽车朝着更高效、长续航等方向迈进，成为整个行业发展的重要趋势之一。

在2025 年的汽车半导体产业发展浪潮中，SiC成为抢占汽车智能化赛道的核心力量，也为整个行业带来了诸多新变化与深远影响。