来源：微信公众号 更新时间2025-02-19 08:54:20
全球半导体市场于2024年展现复苏态势，预计至2025年，其市场规模将跃升至6971亿美元以上。这一增长趋势背后，是全球半导体需求的持续扩大，特别是在数字化转型浪潮、人工智能发展和物联网应用的强力驱动下。技术的不断革新与市场的成熟，进一步巩固了半导体产业作为全球经济关键增长动力的角色。
Deepseek据此预测，直至2030年，半导体产业有望维持每年6%至8%的稳定增长速度，持续为全球经济注入活力。
01
功率半导体市场
多元化发展的新篇章
当前功率半导体市场正步入一个前所未有的多元化发展新纪元。SiC（碳化硅）与GaN（氮化镓）作为新一代半导体材料，凭借其卓越的性能，在新能源、消费电子等多个关键领域展现出巨大的应用潜力。
SiC器件以其高转换效率、耐高温等特性，在新能源汽车、光伏、储能等领域迅速普及；而GaN器件则以其高频、低功耗的特点，在5G通信、消费电子等领域展现出了独特优势。同时，封装技术的持续创新正不断解锁功率半导体的性能极限，为市场注入新的活力。
02
用技术推动创新
让产品引领市场
无锡旷通半导体，作为高压大电流功率半导体器件的研发、设计和销售领域的佼佼者，正积极拥抱这一变革。公司专注于超结MOSFET、IGBT及第三代半导体器件（SiC和GaN）的研发，推出了一系列高性能产品，广泛应用于新能源汽车、工业控制等领域，均达到了国际先进水平。
MOS器件：技术迭代与市场拓展并进
面对全球MOS市场持续增长的态势，旷通半导体依托其强大的研发能力和先进的制造工艺，不断优化MOSFET产品线，特别是在高性能、低功耗方向取得了显著进展。随着汽车电子、5G通信及数据中心等下游市场的蓬勃发展，旷通半导体正加速MOSFET的技术创新和供应链管理优化，满足客户对高质量、高性价比MOSFET器件的迫切需求。
IGBT：中端市场的稳健与创新
IGBT在新能源汽车、工业控制等领域占据重要地位，特别是在中端车型和混合动力系统中。旷通半导体紧跟行业趋势，加大对IGBT技术的研发投入，特别是在高功率密度、低损耗及高可靠性方面取得了显著突破。其IGBT产品在电机控制器、车载充电机OBC等应用领域展现出极强的竞争力，满足车规级的安全性与可靠性要求，适应宽温度范围及长使用寿命等严苛条件。
硅基器件：成熟领域的持续优化
SiC SBD作为第三代半导体材料的代表，以其卓越的耐高温、高压及高频特性，正在逐步取代传统硅基器件，成为新能源汽车、高效电源管理及工业电机控制等领域的新宠。旷通半导体紧跟SiC材料的发展潮流，已成功开发出多款SiC SBD产品，广泛应用于电动汽车充电站、光伏逆变器及高效UPS系统中，显著提高了系统的能效和可靠性。随着SiC材料成本的逐步下降及应用场景的拓宽，旷通半导体将进一步扩大SiC SBD产品线，加速其在更广泛工业领域的应用推广。
03
未来战略：持续创新、
市场拓展与供应链优化
面对汽车、工业和人工智能等领域的快速发展，旷通半导体正以积极的姿态迎接挑战与机遇。公司将继续加大在MOS、IGBT及SiC等关键技术领域的研发投入，推动产品创新和技术迭代；深化与国内外客户的合作，特别是在新能源汽车、智能电网、工业自动化等高增长领域，拓宽市场应用边界；加强与上下游产业链的合作，构建稳定、高效的供应链体系；同时，加大人才引进和培养力度，建立一支高素质的研发、生产和销售团队，为公司的长远发展提供坚实的人才支撑，为推动中国半导体产业的繁荣发展贡献力量。
